La siguiente grafica muestra el símbolo y la característica estática corriente-tensión de un diodo de potencia, complete lo que hace falta. La siguiente grafica muestra el funcionamiento en tiempo/corriente de Diodo, complete lo que hace falta - 3. Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrónica de Potencia se pueden clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad: Dispositivos no controlados, Dispositivos semicontrolados, Dispositivos totalmente controlados.
A) Falso
B) Verdadero
- 4. El diodo de potencia está formado por una sola unión PN, aunque la estructura de un diodo de potencia es algo diferente a la de un diodo de señal, puesto que en este caso existe una región N intermediaria con un bajo dopaje. El papel de esta región es permitir al componente soportar tensiones inversas más elevadas.
A) Falso
B) Verdadero.
- 5. En los diodos de potencia el estado de conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos disponen de uno de sus dos terminales para el control externo.
A) Verdadero
B) Falso
- 6. Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus límites de tensión y corriente, permite la circulación de corriente en un único terminal.
A) Verdadero
B) Falso
- 7. Cuál es la región de pequeña densidad de dopaje que dará al diodo de potencia una significativa característica resistiva en polarización directa, la cual se vuelve más significativa cuanto mayor sea la tensión que ha de soportar el componente.
A) b. Región PN intermedia.
B) d. Ninguna de las anteriores.
C) a. Región P intermedia.
D) c. Región N intermedia.
- 8. 6.
Se utilizan cuando se necesita una caída de tensión directa muy pequeña (0,3 V típicos) para circuitos con tensiones reducidas de salida. No soportan tensiones inversas superiores a 50 – 100 V
A) d. Ninguno de los anteriores.
B) a. Diodos de recuperación rápida.
C) b. Diodos rectificadores o de frecuencia de línea.
D) c. Diodos de alta frecuencia.
- 9. El paso de conducción a bloqueo no se efectúa instantáneamente. Cuando el diodo conduce una corriente I en polarización directa, la zona central de la unión está saturada de portadores mayoritarios, y aunque un circuito externo fuerce la anulación de la corriente aplicándole una tensión inversa, cuando la corriente pasa por cero aún existe una cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten la conducción de una corriente inversa durante un tiempo potencia. Por lo tanto, se dice que estamos ante una:
A) a. Recuperación Directa.
B) c. Tiempo de cruce por cero.
C) b. Recuperación Inversa.
D) d. Ninguna de las anteriores
- 10. El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia P-N-N-P, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).
A) Verdadero
B) Falso
- 11. En este grupo se encuentran, dentro de la familia de los Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of Alternating Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo.
A) Verdadero
B) Falso
- 12. Para diodos de potencia, ésta tensión de caída en conducción directa oscila aproximadamente entre 0.7 y 1 Volts. Además, esta caída depende de la corriente que circule, teniéndose una característica corriente – tensión bastante lineal en la zona de conducción.
A) Falso
B) Verdadero
- 13. Si los transistores MI y M2 conducen durante medio período, y M3 Y M4 conducen durante la otra mitad, el voltaje de salida es alterno. El valor del voltaje se puede controlar variando el tiempo de conducción de los transistores; entonces estamos ante un:
A) ninguna de las anteriores
B) Inversor.
C) Interruptor estático.
D) Convertidores de CA-CA
- 14. Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrónica de Potencia se pueden clasificar en cuatro grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:
A) Ninguna de las anteriores
B) Dispositivos no controlados, Dispositivos semicontrolados, Dispositivos totalmente controlados y Dispositivos de alta velocidad.
C) Dispositivos controlados, Dispositivos semicontrolados, Dispositivos totalmente controlados y Dispositivos no controlados.
- 15. “Ron” significa resistencia en conducción del diodo y que se puede obtener como el inverso de la pendiente de la asíntota de la curva estática en la zona de polarización directa
A) Falso
B) verdadero
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